Hàn Quốc giới thiệu công nghệ thay thế vi xử lý silicon

E-mail | Bản in | Lưu xem sau

Một nhóm các nhà khoa học Hàn Quốc đã chế tạo được một công nghệ mới mở đường cho việc chế tạo thiết bị mới thay thế vi xử lý bán dẫn silicon hiện nay.

Nhóm do ông Kim Huyn-Tak tại Viện nghiên cứu điện tử viễn thông ETRI phụ trách đã chế tạo thành công thành phần cách điện Mott Insulator.

Thành phần được đặt theo tên ông Nevill Mott, một nhà khoa học Anh đã đoạt giải thưởng Nobel Vật lý năm 1977, là chất cách điện tuy dựa trên kim loại. Tuy nhiên, nếu truyền ở điện thế cao, Mott insulator có thể dẫn điện ở nhiệt độ dưới 670C.

Theo ông Lim Joo-Hwan, chủ tịch ETRI, chất silicon tạo ra nhiệt, nên không thể đặt được những mạch siêu mỏng lên các con chíp, còn kim loại Mott không tạo nhiệt trong khi thực hiện chức năng chất bán dẫn.

Ông nói chất bán dẫn thế kỷ 20 sẽ dần phải nhường chỗ cho chất cách điện Mott. Theo ông Mott insulator, có thể mở ra thị trường trị giá 100 tỷ USD mỗi năm trên toàn cầu, gồm màn hình và thiết bị mới không sử dụng vi xử lý bán dẫn silicon.

Nhờ việc sử dụng chất kim loại cách điện Mott, có thể chế tạo các vi xử lý với mạch bán dẫn 5 nano mét. Công nghệ vi xử lý bán dẫn hiện nay về lý thuyết có thể mang được vi mạch kích thước nhỏ tới 40 nano mét, nhưng sản phẩm mới nhất trên thị trường mới chỉ có kích thước 90 nano mét (một nano mét bằng một phần tỷ mét)

Công ty điện tử Samsung đi đầu thế giới về vi xử lý bộ nhớ năm ngoái đã gây bất ngờ khi giới thiệu vi xử lý cho bộ nhớ flash cao cấp nhất dựa trên vi mạch kích thước 60 nano mét.

Theo các chuyên gia, đây là mức giới hạn kỹ thuật để thu nhỏ các vi mạch sử dụng công nghệ silicon.

( theo Tạp chí hoạt động khoa học )