Họ sử dụng hợp chất lithium-sulfur (Li2S) ở cấp độ phân tử nano làm cực dương (anode) và các sợi silicon cấp nano làm cực âm (cathode). Bằng cách giảm tỷ lệ kim loại (lithium), các nhà khoa học đã giảm thiểu nguy cơ chập cháy thường xảy ra ở pin sạc. Vật liệu mới tăng tính an toàn nhưng lại làm giảm hiệu suất của pin: chỉ đạt 80% dung lượng nạp so với pin cũ. Thêm vào đó, pin mới chỉ sử dụng được khoảng 40-50 lần nạp-xả (so với pin cũ 300-500 lần). Trên lý thuyết, nghiên cứu của GS Yi Cui ở Ðại học Standford có thể chế tạo loại pin mới an toàn hơn, có mật độ năng lượng lớn hơn mười lần so với pin lithium-ion đang phổ biến hiện nay. Do đó, pin mới có thể được dùng cho các phương tiện và thiết bị tiêu thụ nhiều điện năng như xe ô-tô điện.
Chế tạo rô-bốt chứa hệ thống cơ, xương nhân tạo
Các nhà khoa học thuộc Phòng nghiên cứu rô-bốt JSK - Ðại học Tô-ki-ô (Nhật Bản) đã phát triển rô-bốt Kojio có thể chuyển động linh hoạt. Ðiều khác biệt giữa Kojio với các rô-bốt khác là Kojio chứa một hệ thống cơ, xương và dây chằng phức tạp giống như trên cơ thể con người. Hệ thống nhân tạo siêu hiệu quả này giúp Kojio có thể di chuyển một cách hữu cơ hơn. Hơn 100 cấu trúc cơ và dây chằng của Kojio tạo ra 60 mức độ chuyển động, khiến nó cử động linh hoạt hơn bất cứ rô-bốt nào khác, kể cả người máy Asimo. Các nhà thiết kế đang nỗ lực tạo ra một chương trình học hỏi tương tác với con người, điều sẽ khiến các cử động nhỏ của Kojio trở nên hoàn thiện, qua đó giúp chú rô-bốt này có thể thực hiện những cử động phức tạp hơn.
Ra mắt bộ nhớ đồ họa công nghệ 40nm đầu tiên
Hynix đã giới thiệu bộ nhớ đồ họa GDDR5 2Gb được hãng này cho là bộ nhớ đầu tiên sử dụng công nghệ 40nm cho máy tính và thiết bị chơi game. Loại chip nhớ này hoạt động với tốc độ 7Gbps và tốc độ xử lý đến 28GB/s với giao tiếp I/O 32 bit. GDDR5 2Gb được thiết kế để hạn chế tối đa lượng tiêu thụ điện với mức điện thế khi hoạt động là 1,35V. Ðây được cho là sản phẩm "thân thiện với môi trường" khi nó giảm 20% lượng điện tiêu thụ so với các giải pháp bộ nhớ trước đó sử dụng công nghệ 50nm của Hynix. Digitimes cho hay hãng này có kế hoạch sản xuất hàng loạt chip nhớ GDDR5 2Gb trong nửa sau năm 2010.